作者：Fairchild Semiconductor
電源開(kāi)關(guān)是每一種電源轉(zhuǎn)換器的核心元件。 這些元件的工作性能直接決定產(chǎn)品的可靠性和能效。 為增強(qiáng)電源轉(zhuǎn)換器的開(kāi)關(guān)電路性能，吸收器橫跨電源開(kāi)關(guān)，以抑制電壓尖刺以及衰減電路電感在開(kāi)關(guān)打開(kāi)時(shí)造成的瞬時(shí)振蕩。 正確的吸收器設(shè)計(jì)會(huì)提升可靠性和能效并減弱 EMI。 在許多不同的吸收器中，最常見(jiàn)的吸收器是阻容 (RC) 吸收器。 本文將說(shuō)明為什么電源開(kāi)關(guān)需要吸收器。 此外，還將給出關(guān)于最佳吸收器設(shè)計(jì)的一些實(shí)用小竅門(mén)。
圖 1：電源開(kāi)關(guān)的四種基本電路。
在電源轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和燈泡鎮(zhèn)流器中會(huì)用到許多不同的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。 圖 1 所示為電源開(kāi)關(guān)的四種基本電路。 如圖中藍(lán)色線框所示，這四種基本電路以及大多數(shù)電源開(kāi)關(guān)電路都采用了“開(kāi)關(guān)-二極管-電感器”網(wǎng)絡(luò)。 這種網(wǎng)絡(luò)在所有這些電路中的特性均相同。 所以，圖 2 中的簡(jiǎn)化電路可用于分析電源開(kāi)關(guān)在開(kāi)關(guān)瞬變期間的開(kāi)關(guān)性能。 既然電感器中的電流在開(kāi)關(guān)瞬變期間幾乎不變，那么如圖所示，這個(gè)電感器就可用電流源替代。 圖 2 所示為理想的“電壓和電流開(kāi)關(guān)”波形。
圖 2：簡(jiǎn)化電源開(kāi)關(guān)電路及其理想開(kāi)關(guān)波形。
當(dāng) MOSFET 開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)，其自身電壓升高。 然而，電流 IL 將繼續(xù)通過(guò) MOSFET，直到開(kāi)關(guān)電壓升至 Vol。 一旦二極管導(dǎo)通，IL 就開(kāi)始降低。 當(dāng) MOSFET 開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)，情況剛好相反，如圖所示。 這種開(kāi)關(guān)方式稱(chēng)作“硬開(kāi)關(guān)”。 在開(kāi)關(guān)瞬變期間，電路必須能同時(shí)承受最高電壓和最大電流。 因此，這種“硬開(kāi)關(guān)”方式會(huì)使 MOSFET 開(kāi)關(guān)直接承受高電氣應(yīng)力。
圖 3：MOSFET 開(kāi)關(guān)關(guān)斷瞬變電壓過(guò)沖。
實(shí)際電路中，寄生電感 (Lp)、電容 (Cp) 會(huì)產(chǎn)生非常高的開(kāi)關(guān)應(yīng)力，如圖 4 所示。 Cp 包括開(kāi)關(guān)的輸出電容、PCB 布局和安裝時(shí)產(chǎn)生的雜散電容。 Lp 包括 PCB 線路的寄生電感和 MOSFET 的引線電感。 這些來(lái)自功率器件的寄生電感、電容形成一個(gè)濾波器，并在關(guān)斷瞬變剛剛結(jié)束時(shí)形成諧振，所以會(huì)在器件上疊加過(guò)高的電壓瞬時(shí)振蕩，如圖 3 所示。 為抑制這種峰值電壓，可在開(kāi)關(guān)上并聯(lián)一個(gè) RC 吸收器，如圖 4 所示。 電阻值必須接近希望衰減的寄生諧振的阻抗值。 吸收器電容必須大于諧振電路電容，但又必須足夠小，以便最大程度地減小電阻器功率耗散。
圖 4：阻容吸收器配置。
如果功率耗散非關(guān)鍵指標(biāo)，則可采用一種快捷的 RC 吸收器設(shè)計(jì)方法。 按照經(jīng)驗(yàn)，吸收器電容器 Csnub 應(yīng)兩倍于開(kāi)關(guān)輸出電容與預(yù)計(jì)安裝電容之和。 吸收器電阻器 Rsnub 則應(yīng)滿足
。 電阻 Rsnub 在給定開(kāi)關(guān)頻率 (fs) 下的功率耗散可按照下式估算：
當(dāng)這種簡(jiǎn)單的經(jīng)驗(yàn)設(shè)計(jì)不能充分限制峰值電壓時(shí)，就需采取優(yōu)化措施。
經(jīng)過(guò)優(yōu)化的 RC 吸收器：在功率耗散是關(guān)鍵指標(biāo)的情況下應(yīng)采用一種更優(yōu)的方法。 首先，測(cè)量 MOSFET 開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)在其節(jié)點(diǎn) (SW) 處的瞬時(shí)振蕩頻率 (Fring)。 在 MOSFET 兩端焊接一個(gè)薄膜型 100 pF、低 ESR 電容器。 增大電容值，直至瞬時(shí)振蕩頻率為原始測(cè)量值的一半。 現(xiàn)在，開(kāi)關(guān)的總輸出電容（增加的電容和原有寄生電容之和）增大到原來(lái)的四倍，而瞬時(shí)振蕩頻率則與電路的電感電容之積的平方根成反比例。 所以，寄生電容 Cp 是外加電容器電容值的三分之一。 現(xiàn)在，寄生電感 Lp 可利用下式求出：
只要求出寄生電感 Lp 和寄生電容 Cp，就可根據(jù)以下計(jì)算公式確定吸收器的電阻器 Rsnub 和電容器 Csnub。
如發(fā)現(xiàn)吸收器電阻器不夠大，則可以進(jìn)行微調(diào)，進(jìn)一步減少瞬時(shí)振蕩。
電阻器 Rsnub 在給定開(kāi)關(guān)頻率 (fs) 下的功率耗散為 
。
利用所有這些求出的值即可完成電源開(kāi)關(guān)吸收器設(shè)計(jì)，然后就可以在應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)。
