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消除誤解:大電流開關穩(wěn)壓器IC噪聲可以降低到接近LDO的數(shù)值
文章來源:永阜康科技 更新時間:2023/5/4 9:57:00
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作者:Bill Schweber

即便在發(fā)展日新月異的科技領域,也有一些根深蒂固的“傳統(tǒng)智慧”和臆斷,盡管經(jīng)歷了科技迅猛進步的洗禮,但仍舊抗拒改變。我偶爾還會聽到老一輩人說,延長充電電池壽命的方式是將電量完全耗盡,然后再進行充電。對于傳統(tǒng)的鎘鎳 (NiCad) 化學材料,可能的確如此,但對于今天的鋰電池而言,這可能是絕對錯誤的,實際上還會對電池壽命產(chǎn)生不利影響。

對于降壓 DC-DC 開關穩(wěn)壓器,同樣也存在一些錯誤觀念,特別是那些設計在較高輸入電壓(數(shù)十伏特)下工作并提供較大電流(高達 10 A 左右)的穩(wěn)壓器。固有觀念是低壓差穩(wěn)壓器 (LDO) 采用線性非開關拓撲結構,幾乎沒有噪聲,但效率非常低。相反,開關穩(wěn)壓器(轉換開關)相對噪聲較大,但效率非常高。

用戶對轉換開關的擔憂不僅限于臆斷存在的噪聲。雖然它們的效率很高(在“甜區(qū)”負載下工作時,效率高于 85%),但通常存在三個缺點:

1:它們會產(chǎn)生電噪聲,這種噪聲主要(但非全部)在其開關頻率下和諧波中出現(xiàn)。
2:它們的瞬態(tài)響應較差,易于出現(xiàn)不穩(wěn)定和振蕩,除非針對應用對其閉環(huán)響應進行仔細調節(jié)。
3:高功率開關穩(wěn)壓器需要外部 MOSFET,并用作開關器件控制器,而不是帶有內(nèi)部 MOSFET 的穩(wěn)壓器,因而需要更多的元器件和板空間。

但是,隨著最近的技術進步和創(chuàng)新拓撲結構的問世,這種情況已經(jīng)改變,LT8645S、LT8646S 和 LT8645S-2 就證明了這一點。這三款相似的 65 V 單片 Silent Switcher 同步降壓穩(wěn)壓器來自于 Analog Devices,每款穩(wěn)壓器都能夠支持 8 A 輸出(圖 1)。


圖 1:Silent Switcher 降壓穩(wěn)壓器的方框圖展示了它們的復雜度,但無法顯示用于實現(xiàn)重大性能改進的技術細節(jié)。(圖片來源:Analog Devices)

上述三款器件之間存在一些細微但明顯的差異,讓用戶能夠選擇最符合他們應用需求的特定配置(圖 2)。


圖 2:這三款開關穩(wěn)壓器非常相似,但存在一些細微的配置差異,這些差異可能對于特定應用至關重要。(圖片來源:Analog Devices)

我們首先談一下噪聲,因為對于開關穩(wěn)壓器而言,用戶通常最擔心的就是噪聲問題。毋庸置疑,優(yōu)質的低壓差穩(wěn)壓器 (LDO) 確立了低噪聲輸出的標準,但上述幾款先進的開關穩(wěn)壓器已經(jīng)非常接近它們的噪聲水平。

為什么要擔心噪聲呢?

穩(wěn)壓器輸出噪聲對系統(tǒng)性能的不利影響表現(xiàn)在以下幾個方面:

· 可能影響負載 IC 的性能一致性和可靠性,尤其是在較低電軌電壓供電、電源裕量非常小的情況下。
· 影響最終能夠達到的性能水平,因為它會降低模擬信號精度,例如在傳感器前端。
· 輸出軌噪聲可能是輻射和傳導電磁干擾 (EMI) 的來源。輻射噪聲尤其令人擔憂,因為它可能導致最終產(chǎn)品無法滿足眾多應用特定要求中的一項或多項,例如廣泛使用的 CISPR 25 輻射 EMI 測試。

無需擔憂

就設計而言,Analog Devices 的 Silent Switcher 架構可以確保實現(xiàn)低噪聲,從而獲得優(yōu)良的 EMI 性能。另外,作為單片器件,其性能不易受到印刷電路板(PC 板)布局的影響,因而可以消除元器件和布局引起的 EMI,這是設計時所要考慮的問題。

Silent Switcher 穩(wěn)壓器是如何做到這一點的?設計人員研究了時鐘和其他噪聲源的每一種表現(xiàn)方式,然后設計了各種方法加以克服。噪聲的兩個主要來源是開關架構固有的所謂“熱回路”,以及走線電感和瞬時振蕩。

為了抑制熱回路,Silent Switcher 設計將熱回路分為兩個均衡回路,使得它們的電流可以有效地相互抵消。為了解決走線電感問題,在芯片上集成旁路電容器,避免與印刷電路板走線電感和瞬時振蕩有關的問題,同時通過消除外部元器件及其貼裝的可變性確保性能。這種做法讓輻射放射性能能夠輕松達到 CISPR 25 標準限值(圖 3)。


圖 3:由于消除熱回路問題及增加集成旁路電容器等改進措施,Silent Switcher 穩(wěn)壓器的輻射遠遠低于法定最大值。(圖片來源:Analog Devices)

值得注意的是,這些器件的傳導噪聲也非常低,但這方面的法規(guī)限制不太嚴格。此外,使用鐵氧體磁珠更容易降低傳導噪聲,而輻射噪聲更難衰減,甚至可能需要昂貴和復雜的屏蔽措施。

這些開關穩(wěn)壓器的設計還能夠改進瞬態(tài)響應。它們提供清晰、精密的調節(jié)(盡管負載變化),并可在各種不同工作條件下保持回路穩(wěn)定性(圖 4)。為了增加靈活性,LT8646S 器件還允許外部電阻-電容器 (RC) 補償,讓設計人員能夠優(yōu)化瞬態(tài)響應。


圖 4:Silent Switcher 穩(wěn)壓器的設計還可產(chǎn)生快速、精確、一致的瞬態(tài)響應,即便在負載變化的情況下,也能提供穩(wěn)定可靠的直流輸出軌。(圖片來源:Analog Devices)

最后,集成高功率 MOSFET 還帶來諸多優(yōu)勢:

· 由于減少了 MOSFET 的印刷電路板走線,噪聲得以降低。
· 提供一致的輸入電源到輸出軌性能,達到在規(guī)格書上規(guī)定的性能標準。
· 整體外形尺寸更小;8-A 穩(wěn)壓器采用 6 mm × 4 mm LQFN 封裝,整個電路僅需少量無源元器件(圖 5)。


圖 5:基于 LT8645S-2(或該系列的其他元器件)的完整電源穩(wěn)壓器子系統(tǒng)外形緊湊且節(jié)省物料。(圖片來源:Analog Devices)

最后還有一個非常重要的問題:在使用這些高壓、大電流的 Silent Switcher 穩(wěn)壓器時,是否要在效率方面做出一定妥協(xié)或犧牲?畢竟,高效率是用戶使用轉換開關而非線性電源的最主要原因。

答案非常簡單:這些器件的效率與更高噪聲器件的效率處于同一區(qū)間(圖 6)。在負載電流為 1 A 至最高 8A 的范圍內(nèi),器件的效率在約 90% 至 96% 之間,其中 2 A 至 4 A 范圍是“甜區(qū)”。


圖 6:除電流輸出值范圍的最高端和最低端外,8 A Silent Switcher 穩(wěn)壓器的效率保持在 95% 左右。(圖片來源:Analog Devices)

結語

開關穩(wěn)壓器具有高效率的重要優(yōu)點,但它們也可能會產(chǎn)生多余的輻射噪聲,對于電路、系統(tǒng)和法規(guī)要求來說,需要避免這些多余的噪聲。Analog Devices 提供的 Silent Switcher DC-DC 穩(wěn)壓器采用創(chuàng)新的架構,克服了傳統(tǒng)開關穩(wěn)壓器的諸多缺點,而不影響預期性能。

 
 
 
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