日前，中國領先的模擬芯片廠商——希荻微電子集團股份有限公司(以下簡稱“希荻微”)宣布推出全新 E-Fuse 系列 HL8511/12和HL8521/22 產品，旨在保護輸出 (OUT) 上的電路，使其免受電源總線 (IN) 電壓瞬變和大浪涌電流的不良影響，即實現保護電源總線免受意外輸出短路和意外過載的功能。
一、產品概述
HL8512/22通過控制外置NMOS，實現反向電流阻斷 (HL8511/21不提供該功能)。這些E-Fuse產品通過集成了功率 FET，來管理負載電流、控制輸出電壓和調節輸出斜率。
在工作期間，當IN引腳電壓超過欠壓鎖定閾值時，HL8511/21和HL8512/22開始檢測EN/UV引腳電壓閾值。如果 EN/UV 引腳電壓超過 VENR，則內部 MOSFET 使能，允許電流從IN 引腳流向 OUT 引腳；如果 EN/UV 引腳電壓低于 VENF，則內部 MOSFET 關斷。E-Fuse芯片還實時監控流向設備的負載電流，確保負載電流不超過限流閾值。
HL8511/21 和 HL8512/22具有熱保護功能。當設備溫度超過熱關斷閾值(通常為150°C)時，內部功率 FET 關斷，斷開負載與電源的連接。一旦發生熱關斷，E-Fuse將持續監控設備的溫度。當溫度降低至設定值以下時，HL8511/21 和 HL8512/22有自動重啟和關閉鎖存兩個版本。
HL8511/12和HL8521/22的主要應用領域是服務器、SSD、POS、USB接口、線纜保護等。
二、產品優勢
高精度的限流控制。當輸出電流是3.6A時，HL8511/12和HL8521/22的限流精度范圍是+/-8%，與友商相比，希荻微的E-Fuses負載開關系列芯片的限流控制精度更高。
超快的OCP響應時間。與友商相比，HL8511/12和HL8521/22的OCP響應時間更短，箝位輸入電流時間更及時。
支持單故障失效模式。當ISET引腳失效時，HL8511/12和HL8521/22處于安全模式，仍然可以繼續進行工作，賦能終端應用解決方案更安全和高效。
超低熱插拔電流和浪涌電流。與友商相比，HL8511/12和HL8521/22具有超低的熱插拔電流和浪涌電流，這樣可以更有效保護輸入端口，很好地控制子系統插入工作總線時產生的浪涌電流和電壓尖峰。
有效箝位VOUT，保護設備。當輸入電壓以10V/us的速度躍升，并超過過壓保護門限時，HL8511/12和HL8521/22仍可將輸出電壓限定在保護門限以內，有效防止負載因電壓超標而損壞。
三、展望未來
希荻微總經理David Nam表示: "希荻微的 E-Fuse 產品 (HL8511/12和HL8521/22) 在電流極限精度和響應時間等關鍵指標上均達到行業領先水平，當輸入電壓以10V/us的速度躍升時，我們的E-Fuse 產品能夠有效地箝位VOUT。” |
