ROHM 開發了內置650V GaN HEMT 和柵極驅動器的功率級 IC - BM3G0xxMUV-LB 系列。 這些器件非常適合工業和消費應用（例如數據服務器和交流適配器）內的主電源。
在過去的幾年里，消費者和工業部門越來越需要更多的能源節約，以實現可持續發展的社會。 雖然 GaN HEMT 有望顯著促進小型化和提高功率轉換效率，但與硅 MOSFET 相比，柵極驅動的難度較大，需要使用專用的柵極驅動器。 為此，ROHM 開發了功率級 IC，利用核心功率和模擬技術，將 GaN HEMT 和柵極驅動器集成到單個封裝中，從而大大簡化了設計與安裝。
除此之外，BM3G0xxMUV-LB 系列（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）還集成了額外的功能和外圍組件，旨在最大限度地提高 GaN HEMT 性能以及 650V GaN HEMT（下一代功率器件）。 ROHM 的寬驅動電壓范圍（2.5V 至 30V）等功能可與主電源中的幾乎所有控制器 IC 兼容，從而有助于替換現有的硅（超級結）MOSFET。 這使得可以同時減少55%的元件體積和功率損耗，以更小的尺寸實現更高的效率。
臺達電子 PSADC（功率半導體應用開發中心）總經理ISAAC LIN說道，“GaN器件作為對設備小型化、節能化做出巨大貢獻的器件，受到業界的廣泛關注。”
ROHM的新產品利用ROHM獨創的模擬技術，實現了高速且安全的柵極驅動。 這些產品將進一步推動GaN功率器件的使用。
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