英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出CoolGaN™ G5中壓晶體管，它是全球首款集成肖特基二極管的工業用氮化鎵（GaN）功率晶體管。該產品系列通過減少不必要的死區損耗提高功率系統的性能，進一步提升整體系統效率。此外，該集成解決方案還簡化了功率級設計，降低了用料成本。
集成肖特基二極管的CoolGaN™ G5晶體管
在硬開關應用中，由于GaN器件的有效體二極管電壓（VSD ）較大，基于GaN的拓撲結構可能產生較高的功率損耗。如果控制器的死區時間較長，那么這種情況就會更加嚴重，導致效率低于目標值。目前功率器件設計工程師通常需要將外部肖特基二極管與GaN晶體管并聯，或者通過控制器縮短死區時間。然而，無論哪種方法都需耗費額外的精力、時間和成本。而英飛凌新推出的 CoolGaN™ G5晶體管是一款集成了肖特基二極管的GaN晶體管，能顯著緩解此類問題，適用于服務器和電信中間總線轉換器IBC）、DC-DC轉換器、USB-C電池充電器的同步整流器、高功率電源（PSU） 和電機驅動等應用場景。
英飛凌科技中壓GaN產品線副總裁Antoine Jalabert表示：“隨著GaN技術在功率設計中的應用日益廣泛，英飛凌意識到需要不斷改進和提升這項技術，才能滿足客戶不斷變化的需求。此次推出的集成了肖特基二極管的CoolGaN™ G5晶體管體現了英飛凌致力于加快以客戶為中心的創新步伐，進一步推動寬禁帶半導體材料的發展。”
由于缺乏體二極管，GaN晶體管的反向傳導電壓（VRC）取決于閾值電壓（VTH）和關斷態下的柵極偏置偏壓（VGS）。此外，GaN晶體管的VTH 通常高于硅二極管的導通電壓，這就導致了反向傳導工作（也稱為第三象限）期間的劣勢。因此，采用這種新型CoolGaN™ 晶體管后，反向傳導損耗降低，能與更多高邊柵極驅動器兼容，且由于死區時間放寬，控制器的兼容性變得更廣，顯著簡化設計。
首款集成肖特基二極管的GaN晶體管為采用3 x 5 mm PQFN 封裝的100 V 1.5 mΩ晶體管。
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