ST推出兩款可提升汽車和工業(yè)應用系統(tǒng)的性能和穩(wěn)健性的36V運算放大器。新款運算放大器具有寬電源電壓范圍、運行穩(wěn)定性和高達4kV(HBM[1])的抗靜電放電性能（ESD）。
TSB572和TSB611單運算放大器是意法半導體新的40V BiCMOS[2]制造工藝的首批產(chǎn)品。基于這項技術(shù)的運算放大器具有優(yōu)異的GBW/Icc[3]能效，電源電流—性能比是市場標準運算放大器的五分之一。此外，低輸入失調(diào)電壓和低于6µV/°C的溫度漂移有助于簡化系統(tǒng)設計，而無需微調(diào)或校準，確保在-40°C到125°C額定溫度范圍內(nèi)性能穩(wěn)定。
TSB572配備軌對軌輸入輸出，增益帶寬(GBW) 2.5MHz，最大輸入失調(diào)電壓1.5mV。運算放大器在容性負載時工作穩(wěn)定，相位反轉(zhuǎn)保護功能優(yōu)異。4.0V至36V的寬電源電壓，準許使用各種電源取得額定參數(shù)。
TSB611的GBW參數(shù)為560kHz，最低工作電壓2.7V，是一款單位增益穩(wěn)定的產(chǎn)品，輸入失調(diào)電壓為1mV，最大工作電流僅為36V 125µA 。
精巧的封裝選擇讓意法半導體的新款運算放大器新運放特別適用于有空間限制的應用場合，例如汽車音響系統(tǒng)和電控單元(ECU)。
TSB572采用3mm x 3mm DFN或Mini-SO8封裝。TSB611采用SOT23-5封裝，兩款產(chǎn)品均已量產(chǎn)。
[1] HBM：人體模型:接觸式靜電放電敏感度測試標準仿真。
[2] BiCMOS半導體技術(shù)：在一顆晶片上整合雙結(jié)晶體管和CMOS晶體管。
[3] GBW/Icc.單位輸入電流的增益帶寬:業(yè)內(nèi)公認的與運放性能-功耗比相關的品質(zhì)因數(shù)。 |
