第三代650V快速碳化硅MOSFET憑借堅固、熱性能強的TOLL封裝，為關鍵、高可靠性、高效率的應用帶來最高功率密度
納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）今日宣布為其最新的第三代快速碳化硅（G3F）MOSFETs產品組合新增一款堅固耐用的熱性能增強型高速表貼TOLL封裝產品，能為大功率、可靠性要求高的應用帶來高效、穩(wěn)定的功率轉換。
納微GeneSiC 650V碳化硅MOSFETs成功將高功率能力和行業(yè)最佳的低導通電阻（20至55mΩ）相結合，并針對如AI數據中心電源、電動汽車充電和儲能以及太陽能解決方案等應用所需的最快開關速度、最高效率和更高功率密度特性進行了專項優(yōu)化。
納微GeneSiC碳化硅產品基于專有的“溝槽輔助平面柵”技術打造，可在運行溫度范圍內能提供了全球頂尖的效率性能，G3F MOSFETs具備高速、運行溫升低的性能，相比市場上其他廠商的碳化硅產品，可使器件的外殼溫度降低高達25°C并且壽命長3倍。
納微最新發(fā)布的4.5kW高功率密度AI服務器電源參考設計，其采用了型號為G3F45MT60L（額定電壓為650V、40mΩ，TOLL封裝）的GeneSiC G3F FETs，用于交錯CCM TP PFC拓撲上。與LLC上使用型號為NV6515（額定電壓650V，35mΩ，TOLL封裝）的GaNSafe™氮化鎵功率芯片搭配，使這款電源以137W/inch³的功率密度和超過97%的峰值效率，成為全球功率密度最高的AI服務器電源。同樣，在400V的電動汽車電池系統(tǒng)中，TOLL封裝的G3F MOSFETs是車載充電機（OBC）、DC-DC轉換器以及6.6kW-22kW牽引電機的理想之選。
相較于傳統(tǒng)的D2PAK-7L封裝，表貼TOLL封裝的結殼電阻（RTH,J-C）要低9%，PCB占位面積也要小30%，厚度低50%并且整體尺寸少60%，有利于打造最高功率密度的解決方案，如納微的4.5kW高功率密度AI服務器電源。此外，由于其具備僅為2nH的最小封裝電感，可實現卓越的高速開關性能和最低的動態(tài)損耗。
采用TOLL封裝的納微G3F碳化硅產品系列現已上市銷售。欲了解更多信息，請訪問納微官方網站：www.navitassemi.com
關于納微半導體
納微半導體（納斯達克股票代碼: NVTS）是唯一一家全面專注下一代功率半導體事業(yè)的公司，于2024年迎來了成立十周年。GaNFast™氮化鎵功率芯片將氮化鎵功率器件與驅動、控制、感應及保護集成在一起，為市場提供充電更快、功率密度更高和節(jié)能效果更好的產品。性能互補的GeneSiC™碳化硅功率器件是經過優(yōu)化的高功率、高電壓、高可靠性碳化硅解決方案。重點市場包括移動設備、消費電子、數據中心、電動汽車、太陽能、風力、智能電網和工業(yè)市場。納微半導體擁有超過250項已經獲頒或正在申請中的專利。截止至2023年8月，氮化鎵功率芯片已發(fā)貨超過1.25億顆，碳化硅功率器件發(fā)貨超1200萬顆。納微半導體于業(yè)內率先推出唯一的氮化鎵20年質保承諾，也是全球首家獲得CarbonNeutral®認證的半導體公司。 |
